内存降价别想！DRAM大厂南亚科：缺口至少到明年底

5月22日消息，内存南亚中国台湾DRAM大厂南亚科技5月21日召开股东会，别想总经理李培瑛释放多项信号。大厂底

他明确表示，科缺口至当前客户需求远高于供给，明年不少客户主动要求签订两至三年的内存南亚长约，缺货状况至少到明年底都会维持紧张，别想展望2028年供需缺口预计仍将持续。大厂底

李培瑛指出，科缺口至DRAM产业正逐渐摆脱过去高度波动的明年景气循环模式，转向更稳定的内存南亚"结构性发展"，AI兴起将带来下一阶段的别想结构性需求成长。

在AI内存布局上，大厂底李培瑛透露，科缺口至公司布局的明年并非传统标准型HBM3、HBM4，而是频宽更高、具差异化优势的客制化超高频宽内存，采用Wafer-to-Wafer Bonding技术，频宽高于现行JEDEC标准HBM规格。

产能扩张方面，新厂扩建规划预计2027年第一季开始装机，下半年正式量产，新增约3万片月产能并导入新世代制程技术。

针对中国大陆DRAM厂商积极扩建产能的影响，李培瑛表示“影响虽有，但仍处于相对稳定状况”，南亚科的目标是在定制化与高附加值产品线上构建差异化壁垒。